LD芯片結(jié)構(gòu)

法布里-珀羅型LD是由n/p包層、夾在包層之間的有源層(發(fā)光層) 和2片鏡片端面構(gòu)成。

由于包層材料的禁帶寬度比有源層寬，因此將載體（電子和空穴）能量性的封閉起來。并且，由于包層材料的折射率比有源層小，因此光也封閉在有源層內(nèi)。(與光纖的原理相同)

有源層和包層由納米級可控的外延生長生產(chǎn)，條形(電極)以微米級可控的光刻法制作。

法布里-珀羅型LD:

一種最簡單的激光二極管的結(jié)構(gòu)。

外延生長:

薄膜結(jié)晶生長技術(shù)的一種，在原有晶片上進(jìn)行生長，使之以電路板結(jié)晶面一致的結(jié)晶排列生長。

光刻法:

一種將涂敷了感光性物質(zhì)的表面曝光，利用曝光部分和未曝光部分生成圖案的技術(shù)。