IGBT模塊是如何進(jìn)行導(dǎo)通的？

?? IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET非常相似。主要區(qū)別是IGBT增加了P襯底和N緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)不增加這部分)。一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極性器件。襯底的應(yīng)用在管的P和N區(qū)域之間產(chǎn)生了J1結(jié)。當(dāng)正柵極偏置使柵極下的P-基區(qū)反轉(zhuǎn)時，形成N溝道，同時出現(xiàn)電子電流，完全以功率MOSFET的方式產(chǎn)生電流。
??如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V的范圍內(nèi)，那么J1會正向偏置，一些空穴會注入到N區(qū)，調(diào)整陽極和陰極之間的電阻率，減少了功率傳導(dǎo)的總損耗，開始第二次電荷流動。結(jié)果，半導(dǎo)體層中暫時出現(xiàn)了兩種不同的電流拓?fù)洌阂环N是電子電流(MOSFET電流)；空穴電流(雙極)。

公司電話：+86-0755-83044319
傳真/FAX：+86-0755-83975897
郵箱：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李經(jīng)理  

QQ：332496225   丘經(jīng)理

地址：深圳市龍華新區(qū)民治大道1079號展滔科技大廈C座809室