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氮化鎵——實現(xiàn)5G的關(guān)鍵技術(shù)

發(fā)布時間:2022-03-17作者來源:薩科微瀏覽:1612

如何實現(xiàn) RF 鏈 5G 目標(biāo)和“綠色”網(wǎng)絡(luò)目標(biāo)?


進(jìn)入 RF 氮化鎵 (GaN) 的世界 – 這項高效、寬帶隙、可靠的功率 PA 技術(shù)使網(wǎng)絡(luò)效率逐年大幅提高。如下圖所示,在基站收發(fā)臺 (BTS) 生態(tài)系統(tǒng)中引入 GaN 后,前端效率大幅提升,使其成為適合高功耗和低功耗應(yīng)用的一項全新[敏感詞]技術(shù)。


   
   

2GaN 具有優(yōu)異的特性,包括高功率密度、高功率附加效率 (PAE)、高增益以及易于實施阻抗匹配,可提高 RF 鏈的整體效率。就像一級方程式賽車的設(shè)計師一樣,無線工程師也可細(xì)致地調(diào)整和調(diào)節(jié)他們的 RF 系統(tǒng)來逐步優(yōu)化性能。從一開始就采用基礎(chǔ)更好的半導(dǎo)體技術(shù),可以在大幅提升能源效率的同時實現(xiàn)性能目標(biāo)。


5G 和 GaN


4G LTE 網(wǎng)絡(luò)的擴(kuò)建趨于成熟,但是要縮小與 5G 的差距,還需要進(jìn)行多次升級。目前我們正處于 5G 定義和概念驗證階段,但是像 Verizon 這樣的公司正在加快時間表以實現(xiàn)專注于固定無線接入的早期部署。


早期的 5G 試驗開始于 2013 年,現(xiàn)在經(jīng)常會有早期試驗和近期實驗中的數(shù)據(jù)發(fā)布出來。


那些在毫米波、大規(guī)模 MIMO 天線陣列和波束形成方面提供可觀結(jié)果的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入預(yù)商用開發(fā)階段。所有的基站 OEM 已進(jìn)入產(chǎn)品試用模式。


像高通、英特爾這樣的公司正在測試支持 5G 的調(diào)制解調(diào)器,例如在 28 GHz 頻段工作的 X50 調(diào)制解調(diào)器。


Qorvo 和 NanoSemi 已針對適用于大規(guī)模 MIMO 應(yīng)用的 GaN 設(shè)備的超寬帶線性化結(jié)果發(fā)布演示數(shù)據(jù)。這些前瞻性公司正在探索主要的 5G 系統(tǒng)架構(gòu)、頻段和使能技術(shù),以尋找成本、性能和復(fù)雜度的適當(dāng)平衡。


為了滿足多樣的 5G 要求,GaN 制造商需要提供跨越寬頻率和功率水平范圍的多個變體。有了多個 GaN 工藝可供選擇,設(shè)計人員可以將 GaN 技術(shù)與應(yīng)用進(jìn)行最優(yōu)匹配。以下圖表說明了 Qorvo 在這個領(lǐng)域的能力。



正如 Qorvo 的 Doug Reep 在另一篇文章中提到的,GaN 將取代傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料用于 5G 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,例如要求更高頻率、緊密集成和[敏感詞]實施成本的小型蜂窩。


他還繼續(xù)表明,低電壓 GaN 所提供的效能將不可避免地進(jìn)入手機設(shè)備。GaN 具有在高溫環(huán)境中運行的特性,非常適合被動制冷、全戶外塔頂基站電子設(shè)備和汽車應(yīng)用??偠灾?,擁有廣泛的 GaN 技術(shù)選擇將意味著更多的應(yīng)用需求得到滿足。



如今,GaN 被大量應(yīng)用于小型蜂窩和 BTS 市場領(lǐng)域,并在 2016 年繼續(xù)呈上升勢頭。GaN 出貨量在 2016 年預(yù)計達(dá)到近 3 億美元,遠(yuǎn)超過 2015 年的 1.5 億美元。


小型蜂窩、分布式天線系統(tǒng) (DAS) 和遠(yuǎn)程無線電頭端網(wǎng)絡(luò)的密集化部署在這一趨勢中發(fā)揮了重要的作用。



未利用的頻譜、高吞吐量和低延遲目標(biāo)的激勵因素正在吸引開發(fā)人員向更高的毫米波頻段遷移。


毫米波頻譜頻段提供的帶寬是目前 4G 頻段 (<4 GHz) 的10 至 30 倍,而網(wǎng)絡(luò)容量與可用的帶寬成正比。



GaN 非常適合提供毫米波領(lǐng)域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿足性能和小尺寸要求,如上圖所示。


使用毫米波頻段的應(yīng)用需要高度定向的波束形成技術(shù)(波束形成將無線電信號聚焦成強指向性的波束,從而提高功率并[敏感詞]限度地減少用戶設(shè)備上的干擾)。


這意味著 RF 子系統(tǒng)將需要大量有源元件來驅(qū)動相對緊湊的孔徑。GaN 非常適合這些應(yīng)用,因為以小封裝尺寸提供強大性能是其最顯著的特點之一。


到 2020 年,當(dāng) 5G 趨于成熟時,我們都會發(fā)現(xiàn)其所帶來的功能和優(yōu)勢。如今,各種試驗、計劃、討論和演示不斷推動著 5G 標(biāo)準(zhǔn)的定義。但明天,我們的日常生活將隨處可見低于 1 毫秒的延遲和極高的容量。無論結(jié)果如何,GaN 無疑都將成為 5G 應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)。 


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