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技術(shù)交流

Technology Exchange
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淺談電動汽車IGBT技術(shù)應(yīng)用與發(fā)展
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2357
20世紀(jì)中期出現(xiàn)了功率器件,經(jīng)過近30年的發(fā)展,MOS和BJT技術(shù)的結(jié)合催生出IGBT技術(shù)。IGBT經(jīng)過不斷更新,現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于車輛、焊接、航天航空等領(lǐng)域。本文介紹了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理,并對其在電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行闡述,有助于從業(yè)者全面深入了解IGBT原理及其在電動汽車領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。 隨著全球變暖和環(huán)境……
干貨|臭名昭著的MOS管米勒效應(yīng)
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 3427
如下是一個NMOS的開關(guān)電路,階躍信號VG1設(shè)置DC電平2V,方波(振幅2V,頻率50Hz),T2的開啟電壓2V,所以MOS管T2會以周期T=20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。 首先仿真Vgs和Vds的波形,會看到Vgs=2V的時候有一個 小平臺 ,有人會好奇為什么Vgs在上升時會有一個小平臺? ……
《華林科納-半導(dǎo)體工藝》碳化硅MOSFET制造后爐前清洗的濕處理
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2873
引言 碳化硅(SiC)器件制造技術(shù)與硅制造有許多相似之處,但識別材料差異是否會影響清洗能力對于這個不斷發(fā)展的領(lǐng)域很有意義。材料參數(shù)差異包括擴(kuò)散系數(shù)、表面能和化學(xué)鍵強(qiáng)度,所有這些都可以在清潔關(guān)鍵表面方面發(fā)揮作用。這項工作將100毫米或150毫米4H碳化硅晶片經(jīng)過汞探針電容電壓(MCV)繪圖后的痕量表面污染水平與……
差模濾波與共模濾波分析
  • 更新日期: 2022-03-18
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低頻來自兩部分:差模和共模濾波。差模濾波試圖減少電流返回回線的電源線上噪聲。這意味著電源線上噪聲存在在外殼和回線上。所以濾波的目的是在它離開外殼之前分流到回線,這樣保證它返回而測量不到。設(shè)置一個電感在功率線上,阻斷它出去,同時提供一個電容在電源與回線之間,提供噪聲低阻抗通道。通常商業(yè)測試時帶有 LISN(Line Im……
性能遠(yuǎn)超AMD及蘋果?英特爾12代酷睿i9-12900K評測:牙膏擠爆,真的很強(qiáng)!
  • 更新日期: 2022-03-18
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今年10月28日,在英特爾ON技術(shù)創(chuàng)新峰會上,英特爾揭開了第12代英特爾酷睿處理器產(chǎn)品家族的神秘面紗,推出了六款全新未鎖頻臺式機(jī)處理器,其中包括全球性能出眾的游戲處理器——第12代英特爾酷睿i9-12900K。憑借最高5.2GHz的睿頻頻率及多達(dá)16核與24線程的規(guī)格,全新處理器可為游戲發(fā)燒友和專業(yè)創(chuàng)作者釋放更高的多線……
老司機(jī)總結(jié):模擬電路設(shè)計的11個細(xì)節(jié)
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2415
模擬電路設(shè)計需要扎實的模電基礎(chǔ)以及豐富的經(jīng)驗積累,這里,我們分享一位模電老工程師的總結(jié),幫助大家在設(shè)計中少踩坑,少走彎路 ,覺得好的點個贊啊! 1. 系統(tǒng)定義 ??系統(tǒng)定義是模擬電路設(shè)計的基本前提。根據(jù)設(shè)計要求,模擬電路設(shè)計工程師需要對電路系統(tǒng)及子系統(tǒng)做出相應(yīng)的功能定義,并確定面積、功耗等相關(guān)性能的參……
拆解報告:TEKA鐵甲65W氮化鎵無線智能充電器
  • 更新日期: 2022-03-18
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近兩年來,氮化鎵在消費類電源領(lǐng)域的發(fā)展迅速,無論是高性價比的高頻QR反激拓?fù)溥€是主打高性能的有源鉗位反激,亦或是百瓦大功率專用的LLC,市面上的氮化鎵快充新品一直都層出不窮。 當(dāng)然,技術(shù)的成熟也會讓產(chǎn)品的性能和賣點都面臨著同質(zhì)化的問題,為了尋求產(chǎn)品的更多差異化,電源廠商也是絞盡腦汁。比如,近日充電頭網(wǎng)就拿……
開關(guān)電源各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的特點
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2338
1、基本名詞 常見的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) ■Buck降壓 ■Boost升壓 ■Buck-Boost降壓-升壓 ■Flyback反激 ■Forward正激 ■Two-Transistor Forward雙晶體管正激 ■Push-Pull推挽 ■Half Bridge半橋 ■Full Bridge全橋 ■SEPIC ■C’uk 基……
MOS管和IGBT有什么區(qū)別
  • 更新日期: 2022-03-18
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在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管? 下面我們就來了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧! 什么是MOS管 場效應(yīng)管主要有兩種類型,分別……
想用GD32替換STM32? 這些細(xì)節(jié)一定要知道
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2736
GD32是國內(nèi)開發(fā)的一款單片機(jī),據(jù)說開發(fā)的人員是來自ST公司的,GD32也是以STM32作為模板做出來的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的。 不過GD32畢竟是不同的產(chǎn)品,不可能所有東西都沿用STM32,有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。 相同的地方我們就不說了,下面列一下不同的地方。 1 內(nèi)核 GD32采用二代的M3內(nèi)核,STM32主要采用一代M3內(nèi)核,下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表,GD使用的內(nèi)核只有752419這一個BU
一文看懂保護(hù)器件PPTC、TVS、GDT的選型
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 4290
01 自恢復(fù)保險絲PPTC選型 隨著電子產(chǎn)品的高速發(fā)展,如今自恢復(fù)保險絲(PPTC)在電路設(shè)計的常見應(yīng)用領(lǐng)域中早已屢見不鮮。雖然過流保護(hù)方式多種多樣,但是自恢復(fù)保險絲不管是從安裝使用、還是從性能效率來看都是其中較為理想的過流保護(hù)元件,而且由于自恢復(fù)保險絲分為插件保險絲和貼片保險絲,使……
電子工程師必備:運算放大器的10種經(jīng)典電路
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2801
幾乎所有電子產(chǎn)品都需要用到運算放大器,運算放大器(簡稱運放),它的英文全稱是Operation Amplifier,簡寫為OPAM,是一種直流耦合,差模輸入、通常為單端輸出的高增益電壓放大器。今天,我們給大家科普一下有關(guān)運算的基礎(chǔ)知識。 遍觀所有模擬電子技朮的書籍和課程,在介紹運算放大器電路的時候,無非是先給電路……

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