更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 1881

話說公元2018年，IGBT江湖驚現(xiàn)第六代和第七代的掌門人，一時風頭無兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測二位英雄的出身來歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨領風騷的數(shù)代當家掌門人，分別是：呃，好像分不清這都誰是誰? 呃，雖然這些IGBT“掌門人”表面看起來都一樣，但都是悶騷型的?！?/div>

查看詳情 >>

雙向可控硅過零電壓觸發(fā)驅(qū)動電路(MOC3040應用電路)

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 4014

描述雙向可控硅過零電壓觸發(fā)驅(qū)動電路(MOC3040應用電路) 這種器件是一種單片機輸出與雙向可控硅之間較理想的接口器件。它由輸入和輸出兩部分組成，輸入部分是一砷化鎵發(fā)光二極管。該二極管在5~15mA正向電流作用下發(fā)出足夠強度的紅外線,觸發(fā)輸出部分。輸出部分是一硅光敏雙向可控硅，在紫外線的作用下可……

查看詳情 >>

2021級清華大學電子信息類迎新大會順利舉辦

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 2400

9月3日上午，2021年清華大學電子信息類迎新大會在羅姆樓舉行。電子信息類首席教授、電子系系主任汪玉、生物醫(yī)學工程系系主任王廣志、電子系黨委書記金德鵬、校學術委員會副主任黃翊東、電子系黨委副書記李冬梅、電子系副系主任吳及、電子系副系主任鄧北星、電子系副系主任沈淵、電子系學生組組長李越、新生年級班主任、輔導員及電子信息類……

查看詳情 >>

氮化鎵（GaN）射頻器件為新一代雷達“猛虎添翼”

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 3684

在軍用市場，GaN 射頻器件需求快速增長，根據(jù)《第3 代半導體發(fā)展概述及我國的機遇、挑戰(zhàn)與對策》數(shù)據(jù)，僅戰(zhàn)斗機雷達對GaN 射頻功率模塊的需求就將達到7500 萬只。目前，美國海軍新一代干擾機吊艙及空中和導彈防御雷達（AMDR）已采用GaN 射頻功放器件替代GaAs 器件。射頻技術的進步正在推動無線系統(tǒng)的發(fā)展?！?/div>

查看詳情 >>

速度提升12倍！日本SiC技術又開掛了？

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 2312

據(jù)日本科技媒體報道，AIST開發(fā)了一項高速SiC晶片拋光技術，可以將速度提升12倍，大幅降低成本，該技術即將導入6英寸SiC晶圓的集成加工工藝中： ▲速度更快：傳統(tǒng)轉(zhuǎn)速50 rpm，新技術達到700rpm。 ▲多片拋光：傳統(tǒng)方式只能單片研磨，新技術可以同時多片加工。 ▲節(jié)省材料：不需要研磨液，只需要水……

查看詳情 >>

集成電路設計中IP技術及其產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 2364

摘要 ……

查看詳情 >>

PCB可焊性問題的根本原因如何確定？

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 3278

印制電路板生產(chǎn)制造的過程中，焊接質(zhì)量的好壞會直接影響整機產(chǎn)品質(zhì)量的好壞。常見的可焊性問題有：潤濕不良、立碑、裂紋、氣孔、假焊、虛焊、上錫不良和夾渣缺陷等。究其原因，到底是什么導致產(chǎn)品出現(xiàn)此類焊接失效問題的發(fā)生呢？這涉及到以下幾個方面： 01 助焊劑、焊料等原料的質(zhì)量是否滿足要求。原料……

查看詳情 >>

切片分析技術在電子產(chǎn)品微觀結構中的全應用！

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 3787

電子產(chǎn)品高集成化、微型化發(fā)展，電子封裝高精密度、小型化、PCBA高密度互連帶來的精細導線化和微小孔徑化，使得對檢測方法和技術提出了更嚴格的要求。切片分析技術在電子產(chǎn)品微觀檢測方面應用廣泛，起到重要作用！通常被用作電子產(chǎn)品的品質(zhì)判定和品質(zhì)異常分析、檢驗電路板品質(zhì)的好壞、PCBA焊接質(zhì)量檢測、尋找失效……

查看詳情 >>

元器件失效分析

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 3213

失效分析基本概念定義：對失效電子元器件進行診斷過程。 1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。 2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復出現(xiàn)。 3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式……

查看詳情 >>

10個電源設計中最常用的公式有哪些？本文幫你梳理清楚

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 1986

1 ---MOSFET開關管工作的最大占空比Dmax： ……

查看詳情 >>

氮化鎵外延用硅襯底問題研究

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 3675

摘?要：隨著硅基氮化鎵外延技術的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國產(chǎn)化問題日益凸顯。分析了國產(chǎn)片外延后邊緣滑移線密集和裂片問題，提出了硅片邊緣控制和機械強度控制參數(shù)和技術指標，為滿足功率器件級氮化鎵外延需求的高質(zhì)量硅襯底研制指明了一定的方向。氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性，可用于制作極其惡劣環(huán)境下運……

查看詳情 >>

揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片

更新日期： 2022-03-18
瀏覽次數(shù)： 3239

揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片高純度的單晶硅片是制造各種芯片的基礎材料，半導體級硅的純度極高，通常要達到99.9....%(小數(shù)點后面7至9個9，甚至是12個9），且為單晶，即硅原子晶格統(tǒng)一朝向。當然這里所說的純度一般是僅考慮不含金屬雜質(zhì)的純度，不包括……

查看詳情 >>

上一頁 80 81 82 83 84 85 86 下一頁